Реферат на тему Полупроводниковые диоды
-
Оформление работы
-
Список литературы по ГОСТу
-
Соответствие методическим рекомендациям
-
И еще 16 требований ГОСТа,которые мы проверили
Введи почту и скачай архив со всеми файлами
Ссылку для скачивания пришлем
на указанный адрес электронной почты
Содержание:
Введение 2
Первые опыты с полупроводниками 3
Понятие «диод». Свойства полупроводникового диода 4
Классификация полупроводниковых диодов 6
Отдельный подвид полупроводникового диода – диод ганна 9
Заключение 10
Список используемой литературы 11
Введение:
При самостоятельной сборке различных электроприборов не обойтись баз такого изделия, как полупроводниковый диод. Это устройство применимо для работы многих приборов, которые люди собирают в домашних лабораториях.
Но для того чтобы применять такое устройство, необходимо знать некоторые его особенности: его виды (типы) и их характеристики (например, ВАХ или вольт амперная характеристика), принцип действия, и многое другое.
Полупроводниковый диод (диодный вентиль) представляет собой изделие, изготовленное из полупроводниковых материалов (зачастую кремния) .
Самым важным параметром в характеристике полупроводниковых диодных компонентов электрических систем является ВАХ.
Полупроводниковый диод является простейшим и наиболее распространенным типом переключающих приборов силовой электроники. В настоящее время применяются в основном полупроводниковые диоды с р-n-переходом и диоды с барьером Шоттки или барьером Мотта. Последние выгодно отличаются от полупроводниковых диодов с р-n-переходом прежде всего отсутствием накопления и рассасывания носителей заряда в базе диода, что и определяет их хорошие частотные свойства (меньшую инерционность процессов их переключения).
Целью данного реферата является изучение свойств, классификации и области применения полупроводниковых диодов.
Заключение:
Итак, полупроводниковый диод представляет собой двухэлектродный прибор, действие которого основано на использовании электрических свойств p-n перехода или контакта металл-полупроводник. К этим свойствам относятся:
• односторонняя проводимость;
• нелинейность вольтамперной характеристики;
• наличие участка вольтамперной характеристики, обладающего отрицательным сопротивлением;
• резкое возрастание обратного тока при электрическом пробое;
• существование емкости p-n перехода.
В зависимости от того, какое из свойств p-n перехода используется, полупроводниковые диоды могут быть применены для целей выпрямления, детектирования, преобразования, усиления и генерирования электрических колебаний, а также для стабилизации напряжения в цепях постоянного тока и в качестве переменных реактивных элементов.
Таким образом, полупроводниковые диоды обладают просто огромным разнообразием форм и видов. Каждый отдельный тип имеет свои уникальные характеристики и свойства, что позволяет использовать его в конкретной ситуации. Этот факт следует учитывать при приобретении таких компонентов электрической схемы для электроприборов, чтобы купить действительно нужный.
Фрагмент текста работы:
Первые опыты с полупроводниками
Полупроводники, как новый материал для электротехники, стали применять только в середине прошлого века, а термин полупроводники был впервые предложен и использован в публикации немецкого физика Кенисберга в 1914 году .
Первые же исследования полупроводников были проведены Майклом Фарадеем в 1833 году. Продолжая работы своего учителя Хэмпфри Дэви, Фарадеем был установлен тот факт, что электропроводность сернистого серебра с ростом температуры повышается в отличие от металлов, у которых она с ростом температуры падает. В последующие годы Фарадей наблюдал такие же эффекты еще в ряде различных материалов, чем собственно и открыл новое направление в экспериментальной физике — физику полупроводников или как называли ее в то время — кристаллофизику. Но как отдельная отрасль науки, физика полупроводников отделилась от общей физики только в 30-х годах прошлого столетия .
В то время исследователи не имели ни теоретической, ни экспериментальной базы для исследования полупроводников, поэтому на некоторое время изучение полупроводниковых кристаллов производилось очень медленно и оставалось в тени изучения других направлений в физике. Так продолжалось до тех пор, пока в 1873 году не было обнаружено, что сопротивление материала селена (Se), который использовался для изоляции телеграфного кабеля, изменяется при освещении. Это открытие произошло чисто случайно во время проведения работ по прокладке телеграфного кабеля между Англией и континентальной Европой. Поэтому именно работы в новой отрасли (электромагнитный телеграф) привели к началу использования полупроводниковых материалов в электротехнике.