Эссе на тему Роль закона Мура в современной концепции цифровой трансформации компаний

Фрагмент текста работы:

РОЛЬ ЗАКОНА МУРА В СОВРЕМЕННОЙ КОНЦЕПЦИИ ЦИФРОВОЙ ТРАНСФОРМАЦИИ КОМПАНИЙ

В 1965 году Гордон Мур, соучредитель компании Intel, предсказал, что плотность транзисторов в интегральных схемах будет удваиваться каждый год. За последние 30 лет закон Мура был реализован с поразительной точностью. Не только плотность транзисторов удвоилась, но и производительность микропроцессоров удваивалась каждые 18 месяцев.

Энди Гроув, бывший генеральный директор и президент Intel, на осенней конференции Comdex’96 предсказал, что к 2011 году компания выпустит микропроцессор с одним миллиардом транзисторов, изготовленных по полупроводниковой технологии 0,07 мкм, скоростью 10 ГГц и способностью выполнять 100 миллиардов операций в секунду. Он предсказал это.

Майкл Слейтер, основатель и главный редактор Microprocessor Report, считает, что для удвоения количества транзисторов в будущем потребуется более 18 месяцев, если будут внесены серьезные изменения в конструкцию процессора или применены более совершенные технологии. Это, вероятно, связано как с возрастающей сложностью логики чипа и увеличением времени, необходимого для его проектирования и отладки, так и с необходимостью преодоления все более жестких технических барьеров для производства интегральных схем. [1, c. 76]

С каждым последующим переходом от 0,25 мкм к 0,18 мкм многие операции, используемые для производства микросхем, должны совершенствоваться. В частности, фотолитографический процесс — это процесс, в котором свет низкой длины волны фокусируется прецизионной линзой и проходит через шаблон фотомаски, подобранный под модель схемы. Фоторезист экспонируется, и посредством проявки, травления и химического удаления маски на пластине формируется тонкий рисунок.

По словам Марка Бора, директора по производственным технологиям, источники света и оптика Intel должны быть достаточно усовершенствованы: в конце 1999 года для производства 0,18-мм чипов Pentium II и Pentium III Intel, как и сегодня, будет использовать источник света 248 нм в глубоком ультрафиолетовом спектре. источник света для выпуска процессора Pentium III по технологии 0,18 мм. Однако через три-четыре года компания рассчитывает перейти на технологический процесс 0,13 мкм, в котором будет использоваться эксимерный лазер с длиной волны 193 нм.

По словам Бора, следующим шагом после процесса 0,13 мкм может стать переход к процессу 0,09 мкм с использованием 157-нм эксимерного лазера. Следующий шаг на пути к пределу 0,09 мкм — освоение технологии 0,07 мкм для процессоров в 2011 году, как обещала компания Globe. Это серьезный технический и производственный барьер, который необходимо преодолеть. На этом уровне фотолитографический процесс потребует света от источника, работающего в крайнем конце ультрафиолетового спектра, с длиной волны всего 13 нм, а в будущем возможно производство транзисторов значительно меньшего размера. Однако в настоящее время не существует материалов для фотомасок, которые пропускали бы свет с такой короткой длиной волны. [3, c. 43]